碳化硅適用

全新HVFO108具有150 MHz的帶寬，非常適合設計硅和碳化硅器件的設備研究工程師以及結合了碳化硅器件的系統開發工程師。

上側柵極驅動信號測量

HVFO108真實地再現了上側柵極驅動信號，而沒有負載和失真，從而可以清晰地看到米勒效應。任何具有高尖端電容與CGE或CGS并聯，和/或與柵極驅動阻抗串聯的高阻抗和大環路電感的常規HV差分探頭在最佳情況下將加載柵極驅動信號或拾取干擾，并最嚴重地導致電路故障。HVFO108在這些測量中表現更好。

浮動控制或傳感器信號測量

HVFO108僅測量其高阻抗輸入引線上的低壓傳感器電壓。被測設備（DUT）的總負載很小。此外，低引線環路電感，> 100dB CMRR和低衰減可提供出色的信號保真度，噪聲和抑制性能。

EMC，EFT，ESD和RF抗擾度測試和系統優化

可以以高信號保真度采集高電壓或存在EMC干擾信號的交流和直流傳感器信號，并將其正確關聯到電路和控制活動中。

光電隔離最佳

探頭尖端和示波器輸入之間的光學隔離減少了DUT的不利負載，提供了忠實的脈沖響應，并增加了對測量的信心。可以確保抵御危險的高壓電平的安全，并且可以避免示波器的不安全“浮動”。

出色的噪聲和抑制

盡管電路中其他地方存在較高的dV / dt或dA / dt事件，但較高的CMRR（140 dB）仍可更精確地表示被測信號。測試引線經過優化，以限制環路電感和輻射拾取。尖端衰減針對各種信號幅度進行了優化。